rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Kingston KVR533D2D8F4/1G. Отзывы о Kingston KVR533D2D8F4/1G.
bg

Kingston KVR533D2D8F4/1G отзывы.

Вся память >> Kingston >> Kingston KVR533D2D8F4/1G

Описание Kingston KVR533D2D8F4/1G: Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: FB-DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 533 МГц; Пропускная способность: 4200 Мб/с; Поддержка ECC: есть; Буферизованная (Registered): Есть; Объем памяти: 1 модуль 1 Гб; Напряжение питания: 1.8 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 18 двусторонняя упаковка; Радиатор: есть; Дополнительные характеристики: Память снабжена микросхемой AMB, адреса; CAS Latency (CL): 4; RAS to CAS Delay (tRCD): 4; Row Precharge Delay (tRP): 4; Activate to Precharge Delay (tRAS): 12;...



Добавить отзыв о Kingston KVR533D2D8F4/1G
Имя: 
Отзыв: 
  
        10+4= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Patriot PSD34G16002S
Patriot PSD34G16002S Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 2; Количество ...
Transcend TS32MLD64V3F5
Transcend TS32MLD64V3F5 Тип памяти: DDR; Форм-фактор: DIMM 184-контактный; Тактовая частота: 333 МГц; Пропускная способность: 2700 Мб/с; Объем памяти: 1 модуль 0.256 Гб; Напряжение питания: 2.5 В; CAS Latency (CL): 2.5;...


bg