Общие характеристики Kingston KVR533D2D8F4/1G |
| Тип памяти: | DDR2 |
| Форм-фактор: | FB-DIMM 240-контактный |
| Тактовая частота: | 533 МГц |
| Пропускная способность: | 4200 Мб/с |
| Поддержка ECC: | есть |
| Буферизованная (Registered): | Есть |
| Объем памяти: | 1 модуль 1 Гб |
Внешние характеристики Kingston KVR533D2D8F4/1G |
| Напряжение питания: | 1.8 В |
| Количество ранков: | 2 |
| Количество чипов каждого модуля: | 18 двусторонняя упаковка |
| Радиатор: | есть |
| Дополнительные характеристики: | Память снабжена микросхемой AMB, адреса |
Тайминги Kingston KVR533D2D8F4/1G |
| CAS Latency (CL): | 4 |
| RAS to CAS Delay (tRCD): | 4 |
| Row Precharge Delay (tRP): | 4 |
| Activate to Precharge Delay (tRAS): | 12 |