rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Silicon Power SP512MBLDU266L02. Отзывы о Silicon Power SP512MBLDU266L02.
bg

Silicon Power SP512MBLDU266L02 отзывы.

Вся память >> Silicon Power >> Silicon Power SP512MBLDU266L02

Описание Silicon Power SP512MBLDU266L02: Тип: DDR; Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 0.5 Гб; Количество контактов: 184; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 266 МГц; Пропускная способность: 2100 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Радиатор: нет; CL: 2.5; tRCD: 3; tRP: 3; Напряжение питания: 2.5 В; Количество: 8; Упаковка: односторонняя;...



Добавить отзыв о Silicon Power SP512MBLDU266L02
Имя: 
Отзыв: 
  
        8+4= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Silicon Power SP512MBLDU266O02
Silicon Power SP512MBLDU266O02 Тип: DDR; Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 0.5 Гб; Количество контактов: 184; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 266 МГц; Пропускная способность: 2100 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизова...
Silicon Power SP512MBLDU400L02
Silicon Power SP512MBLDU400L02 Тип: DDR; Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 0.5 Гб; Количество контактов: 184; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 400 МГц; Пропускная способность: 3200 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизова...


bg