Общие характеристики Silicon Power SP512MBLDU266O02 |
Тип: | DDR |
Форм-фактор: | DIMM |
Объем одного модуля: | 0.5 Гб |
Количество контактов: | 184 |
Количество модулей: | 1 |
Тактовая частота: | 266 МГц |
Пропускная способность: | 2100 Мб/с |
Поддержка ECC: | нет |
Буферизованная (Registered): | нет |
Низкопрофильная (Low Profile): | нет |
Радиатор: | нет |
Тайминги Silicon Power SP512MBLDU266O02 |
CL: | 2.5 |
tRCD: | 3 |
tRP: | 3 |
Дополнительная информация Silicon Power SP512MBLDU266O02 |
Напряжение питания: | 2.5 В |
Чипы Silicon Power SP512MBLDU266O02 |
Количество: | 8 |
Упаковка: | односторонняя |