Общие характеристики Samsung MZQLB1T9HAJR |
| Тип флэш-памяти: | TLC 3D NAND |
| Игровой: | нет |
| Форм-фактор: | 2.5'' |
| Объем: | 1 920 Гб |
| Скорость записи: | 2 000 Мб/с |
| Скорость чтения: | 3 200 Мб/с |
| Скорость случайной записи (блоки по 4Кб): | 50 000 IOPS |
| Скорость случайного чтения: | 540 000 IOPS |
| Суммарное число записываемых байтов (TBW): | 2 733 Тб |
| Время наработки на отказ: | 2 000 000 ч |
| Охлаждение: | нет |
| Подсветка: | нет |
Интерфейсы Samsung MZQLB1T9HAJR |
| PCI-E: | да |
| Тип PCI-E: | PCI-E 3.0 x4 |
| NVMe: | да |
Дополнительные характеристики Samsung MZQLB1T9HAJR |
| Потребляемая мощность: | 11.5 Вт |
Габариты Samsung MZQLB1T9HAJR |
| Высота: | 7 мм |
| Длина: | 110 мм |
| Ширина: | 30.5 мм |
| Вес: | 22 г |