rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы владельцев SSD диска Transcend 1000 GB TS1TMTE110S. Отзывы о Transcend 1000 GB TS1TMTE110S.
bg

Transcend 1000 GB TS1TMTE110S отзывы.

Все SSD диски >> Transcend >> Transcend 1000 GB TS1TMTE110S

Описание Transcend 1000 GB TS1TMTE110S: Тип флэш-памяти: TLC 3D NAND; Форм-фактор: M.2; Объем: 1 000 Гб; Скорость записи: 1 500 Мб/с; Скорость чтения: 1 700 Мб/с; Скорость случайной записи (блоки по 4Кб): 140 000 IOPS; Скорость случайного чтения: 160 000 IOPS; Суммарное число записываемых байтов (TBW): 400 Тб; Поддержка NCQ: нет; Время наработки на отказ: 1 000 000 ч; Охлаждение: нет; Год выхода на рынок: 2018 г.; PCI-E: да; Тип PCI-E: PCI-E 3.0 x4; M.2: да; Размеры M.2: 2 280; NVMe: да; Высота: 3.58 мм; Длина: 80 мм; Ширина: 22 мм; Вес: 8 г;...



Добавить отзыв о Transcend 1000 GB TS1TMTE110S
Имя: 
Отзыв: 
  
      8+10= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Silicon Power 2000 GB SP02KGBP44US7005
Silicon Power 2000 GB SP02KGBP44US7005 Тип флэш-памяти: TLC 3D NAND; Контроллер: Phison PS5016-E16; Форм-фактор: M.2; Объем: 2 000 Гб; Скорость записи: 4 400 Мб/с; Скорость чтения: 5 000 Мб/с; Суммарное число записываемых байтов (TBW): 3 6...
Samsung 960 GB MZILT960HBHQ-00007
Samsung 960 GB MZILT960HBHQ-00007 Тип флэш-памяти: TLC; Форм-фактор: 2.5'; Объем: 960 Гб; Скорость записи: 1 000 Мб/с; Скорость чтения: 2 100 Мб/с; Скорость случайной записи (блоки по 4Кб): 40 000 IOPS; Скорость случайного чтения: 380...


bg