rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы владельцев SSD диска Samsung MZ-V7S2T0BW. Отзывы о Samsung MZ-V7S2T0BW.
bg

Samsung MZ-V7S2T0BW отзывы.


Все SSD диски >> Samsung >> Samsung MZ-V7S2T0BW

Описание Samsung MZ-V7S2T0BW: Тип флэш-памяти: TLC 3D NAND; Контроллер: Samsung Phoenix; Форм-фактор: M.2; Объем: 2 000 Гб; Объем буфера: 2 048 Мб; Скорость записи: 3 300 Мб/с; Скорость чтения: 3 500 Мб/с; Скорость случайной записи (блоки по 4Кб): 560 000 IOPS; Скорость случайного чтения: 620 000 IOPS; Суммарное число записываемых байтов (TBW): 1 200 Тб; Поддержка NCQ: нет; Время наработки на отказ: 1 500 000 ч; Охлаждение: нет; Год выхода на рынок: 2019 г.; PCI-E: да; Тип PCI-E: PCI-E 3.0 x4; M.2: да; Размеры M.2: 2 280; NVMe: да; Шифрование данных: да; Потребляемая мощность (чтение/запись): 6 Вт; Потребляемая мощность (о...




Добавить отзыв о Samsung MZ-V7S2T0BW
Имя: 
Отзыв: 
  
      5+10= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня


Netac NT01N535S-960G-S3X
Netac NT01N535S-960G-S3X Тип флэш-памяти: TLC 3D NAND; Контроллер: Silicon Motion SM2258XT; Игровой: да; Форм-фактор: 2.5'; Объем: 960 Гб; Скорость записи: 520 Мб/с; Скорость чтения: 560 Мб/с; Суммарное число записываемых бай...
Samsung 500 GB MZ-V8P500BW
Samsung 500 GB MZ-V8P500BW Тип флэш-памяти: TLC 3D NAND; Контроллер: Samsung Elpis; Форм-фактор: M.2; Объем: 500 Гб; Объем буфера: 512 Мб; Скорость записи: 5 000 Мб/с; Скорость чтения: 6 900 Мб/с; Скорость случайной записи (бло...


bg