rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы владельцев SSD диска Samsung MZ-V7S250BW. Отзывы о Samsung MZ-V7S250BW.
bg

Samsung MZ-V7S250BW отзывы.


Все SSD диски >> Samsung >> Samsung MZ-V7S250BW

Описание Samsung MZ-V7S250BW: Тип флэш-памяти: TLC 3D NAND; Контроллер: Samsung Phoenix; Форм-фактор: M.2; Объем: 250 Гб; Объем буфера: 512 Мб; Скорость записи: 2 300 Мб/с; Скорость чтения: 3 500 Мб/с; Скорость случайной записи (блоки по 4Кб): 550 000 IOPS; Скорость случайного чтения: 250 000 IOPS; Суммарное число записываемых байтов (TBW): 150 Тб; Поддержка NCQ: нет; Время наработки на отказ: 1 500 000 ч; Охлаждение: нет; Год выхода на рынок: 2019 г.; PCI-E: да; Тип PCI-E: PCI-E 3.0 x4; M.2: да; Размеры M.2: 2 280; NVMe: да; Шифрование данных: да; Потребляемая мощность (чтение/запись): 5 Вт; Потребляемая мощность (ожидани...




Добавить отзыв о Samsung MZ-V7S250BW
Имя: 
Отзыв: 
  
      5+5= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня


GoodRAM SSDPR-CL100-960-G3
GoodRAM SSDPR-CL100-960-G3 Тип флэш-памяти: TLC 3D NAND; Контроллер: Phison PS3110-S10; Форм-фактор: 2.5'; Объем: 960 Гб; Скорость записи: 460 Мб/с; Скорость чтения: 540 Мб/с; Охлаждение: нет; Подсветка: нет; Год выхода на рыно...
Samsung 1000 GB MZ-V8P1T0BW
Samsung 1000 GB MZ-V8P1T0BW Тип флэш-памяти: TLC 3D NAND; Контроллер: Samsung Elpis; Форм-фактор: M.2; Объем: 1 000 Гб; Объем буфера: 1 024 Мб; Скорость записи: 5 000 Мб/с; Скорость чтения: 7 000 Мб/с; Скорость случайной записи ...


bg