Samsung MZ-V7S1T0BW отзывы.

Все SSD диски >> Samsung >> Samsung MZ-V7S1T0BW

Описание Samsung MZ-V7S1T0BW: Тип флэш-памяти: TLC 3D NAND; Контроллер: Samsung Phoenix; Форм-фактор: M.2; Объем: 1 000 Гб; Объем буфера: 1 024 Мб; Скорость записи: 3 300 Мб/с; Скорость чтения: 3 500 Мб/с; Скорость случайной записи (блоки по 4Кб): 550 000 IOPS; Скорость случайного чтения: 600 000 IOPS; Суммарное число записываемых байтов (TBW): 600 Тб; Поддержка NCQ: нет; Время наработки на отказ: 1 500 000 ч; Охлаждение: нет; Год выхода на рынок: 2019 г.; PCI-E: да; Тип PCI-E: PCI-E 3.0 x4; M.2: да; Размеры M.2: 2 280; NVMe: да; Шифрование данных: да; Потребляемая мощность (чтение/запись): 6 Вт; Потребляемая мощность (ожи...

Добавить отзыв о Samsung MZ-V7S1T0BW

Популярные сегодня

GIGABYTE GP-GSM2NE3100TNTD
	Тип флэш-памяти: TLC 3D NAND; Контроллер: Phison PS5008-E8; Форм-фактор: M.2; Объем: 1 000 Гб; Скорость записи: 2 100 Мб/с; Скорость чтения: 2 500 Мб/с; Скорость случайной записи (блоки по 4Кб): 430 0...

Samsung MZ-V7S500BW
	Тип флэш-памяти: TLC 3D NAND; Контроллер: Samsung Phoenix; Форм-фактор: M.2; Объем: 500 Гб; Объем буфера: 512 Мб; Скорость записи: 3 200 Мб/с; Скорость чтения: 3 500 Мб/с; Скорость случайной записи (б...

Имя:
Отзыв:

	3+6= *Проверочный код: сумма двух чисел.