rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы владельцев SSD диска Samsung 840 EVO 500GB (MZ-MTE500BW). Отзывы о Samsung 840 EVO 500GB (MZ-MTE500BW).
bg

Samsung 840 EVO 500GB (MZ-MTE500BW) отзывы.

Все SSD диски >> Samsung >> Samsung 840 EVO 500GB (MZ-MTE500BW)

Описание Samsung 840 EVO 500GB (MZ-MTE500BW): Дата выхода на рынок: 2013 г.; Объём: 500 ГБ; Форм-фактор: mSATA; Интерфейс: SATA 6Gbps; Тип микросхем Flash: NAND TLC; Техпроцесс: 19 нм; Интерфейс микросхем Flash: Toggle-Mode 2.0; Контроллер: Samsung S4LN045X01-8030 (MEX); Аппаратное шифрование: есть AES 256bit; Скорость последовательного чтения: 540 МБ/с; Скорость последовательной записи: 520 МБ/с; Средняя скорость случайного чтения: 98 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 90 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 0.145 Вт; Энергопотребление (ожидание): 0.055 Вт; Время наработки на отказ (МТBF): 1 500 000 ч; Толщина: 3.81 мм;...



Добавить отзыв о Samsung 840 EVO 500GB (MZ-MTE500BW)
Имя: 
Отзыв: 
  
      10+1= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Samsung 840 EVO 1TB (MZ-MTE1T0BW)
Samsung 840 EVO 1TB (MZ-MTE1T0BW) Дата выхода на рынок: 2013 г.; Объём: 1 ТБ; Форм-фактор: mSATA; Интерфейс: SATA 6Gbps; Тип микросхем Flash: NAND TLC; Техпроцесс: 19 нм; Интерфейс микросхем Flash: Toggle-Mode 2.0; Контроллер: Samsung...
Intel 530 120GB (SSDSC2BW120A4K5)
Intel 530 120GB (SSDSC2BW120A4K5) Дата выхода на рынок: 2013 г. (Q3); Объём: 120 ГБ; Форм-фактор: 2.5" ; Интерфейс: SATA 6Gbps; Тип микросхем Flash: NAND MLC; Техпроцесс: 20 нм; Интерфейс микросхем Flash: ONFi 2; Контроллер: Sand...


bg