Общие характеристики GIGABYTE GP-GSM2NE3512GNTD |
| Тип флэш-памяти: | TLC 3D NAND |
| Контроллер: | Phison PS5008-E8 |
| Форм-фактор: | M.2 |
| Объем: | 512 Гб |
| Скорость записи: | 1 550 Мб/с |
| Скорость чтения: | 1 700 Мб/с |
| Скорость случайной записи (блоки по 4Кб): | 340 000 IOPS |
| Скорость случайного чтения: | 270 000 IOPS |
| Суммарное число записываемых байтов (TBW): | 800 Тб |
| Время наработки на отказ: | 1 500 000 ч |
| Охлаждение: | нет |
| Год выхода на рынок: | 2019 г. |
Интерфейсы GIGABYTE GP-GSM2NE3512GNTD |
| PCI-E: | да |
| Тип PCI-E: | PCI-E 3.0 x4 |
| M.2: | да |
| Размеры M.2: | 2 280 |
| NVMe: | да |
Дополнительные характеристики GIGABYTE GP-GSM2NE3512GNTD |
| Потребляемая мощность: | 3.3 Вт |
| Потребляемая мощность (чтение/запись): | 3.3 Вт |
| Потребляемая мощность (ожидание): | 0.0018 Вт |
Габариты GIGABYTE GP-GSM2NE3512GNTD |
| Высота: | 2.3 мм |
| Длина: | 80 мм |
| Ширина: | 2.3 мм |