Оперативная память Silicon Power

	Silicon Power 4 GB (2x2GB) DDR3 1333 MHz (SP004GBLTU133V22) Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Объем: 2 модуля по 2 Гб; Напр... Подробнее о Silicon Power 4 GB (2x2GB) DDR3 1333 MHz (SP004GBLTU133V22)
	Silicon Power SP004GBSTU160V01 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напря... Подробнее о Silicon Power SP004GBSTU160V01
	Silicon Power SP004GBSTU133N02 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб;... Подробнее о Silicon Power SP004GBSTU133N02
	Silicon Power SP512MBLDU400O02 Тип памяти: DDR; Форм-фактор: DIMM 184-контактный; Тактовая частота: 400 МГц; Пропускная способность: 3200 Мб/с; Объем: 1 модуль 512 Мб; Напряжен... Подробнее о Silicon Power SP512MBLDU400O02
	Silicon Power SP002GBSTU133V02 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Объем: 1 модуль 2 Гб; Напря... Подробнее о Silicon Power SP002GBSTU133V02
	Silicon Power SP512MBSDU400O02 Тип памяти: DDR; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 400 МГц; Пропускная способность: 3200 Мб/с; Объем: 1 модуль 512 Мб; Напряж... Подробнее о Silicon Power SP512MBSDU400O02
	Silicon Power SP002GBLRU667S02 Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 667 МГц; Объем памяти: 1 модуль 2 Гб; Напряжение питания: 1.8 В; Количество... Подробнее о Silicon Power SP002GBLRU667S02
	Silicon Power SP001GBSRU800S02 Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 800 МГц; Объем: 1 модуль 1; Напряжение питания: 1.8 В; Количество чипов к... Подробнее о Silicon Power SP001GBSRU800S02
	Silicon Power SP512MBLDU333O02 Тип памяти: DDR; Форм-фактор: DIMM 184-контактный; Тактовая частота: 333 МГц; Пропускная способность: 2700 Мб/с; Объем: 1 модуль 512 Мб; Напряжен... Подробнее о Silicon Power SP512MBLDU333O02
	Silicon Power SP004GBSTU160V02 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напря... Подробнее о Silicon Power SP004GBSTU160V02
	Silicon Power SP002GBSTU160V02 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 2 Гб; CAS L... Подробнее о Silicon Power SP002GBSTU160V02
	Silicon Power SP001GBSDU400O01 Тип памяти: DDR; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 400 МГц; Пропускная способность: 3200 Мб/с; Объем: 1 модуль 1 Гб; Напряжен... Подробнее о Silicon Power SP001GBSDU400O01
	Silicon Power SP512MBSDU333O02 Тип памяти: DDR; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 333 МГц; Пропускная способность: 2700 Мб/с; Объем: 1 модуль 512 Мб; Напряж... Подробнее о Silicon Power SP512MBSDU333O02
	Silicon Power SP001GBSRU667S02 Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 667 МГц; Объем памяти: 1 модуль 1 Гб; Напряжение питания: 1.8 В; Количест... Подробнее о Silicon Power SP001GBSRU667S02
	Silicon Power SP002GBSRU800S02 Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 800 МГц; Объем: 1 модуль 2; Напряжение питания: 1.8 В; Количество чипов к... Подробнее о Silicon Power SP002GBSRU800S02
	Silicon Power SP002GBSRU667S02 Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 667 МГц; Пропускная способность: 5300 Мб/с; Объем: 1 модуль 2 Гб; Напряже... Подробнее о Silicon Power SP002GBSRU667S02
	Silicon Power 2 GB SO-DIMM DDR3 1333 MHz (SP002GBSTU133S02) Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Объем памяти: 1 модуль 2 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Количес... Подробнее о Silicon Power 2 GB SO-DIMM DDR3 1333 MHz (SP002GBSTU133S02)
	Silicon Power SP002GBLRU800S02 Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с; Объем: 1 модуль 2; Напряжение п... Подробнее о Silicon Power SP002GBLRU800S02
	Silicon Power SP004GBLTU160N02 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряже... Подробнее о Silicon Power SP004GBLTU160N02
	Silicon Power SP002GBLRU533S02 Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 533 МГц; Пропускная способность: 4200 Мб/с; Объем: 1 модуль 2 Гб; Напряжени... Подробнее о Silicon Power SP002GBLRU533S02