Общие характеристики Samsung VLP DDR3 1333 Registered ECC DIMM 4Gb |
| Тип: | DDR3 |
| Форм-фактор: | DIMM |
| Объем одного модуля: | 4 Гб |
| Количество контактов: | 240 |
| Количество модулей: | 1 |
| Количество ранков: | 2 |
| Тактовая частота: | 1333 МГц |
| Пропускная способность: | 10600 Мб/с |
| Поддержка ECC: | да |
| Буферизованная (Registered): | да |
| Низкопрофильная (Low Profile): | да |
| Радиатор: | нет |
Тайминги Samsung VLP DDR3 1333 Registered ECC DIMM 4Gb |
| CL: | 9 |
| tRCD: | 9 |
| tRP: | 9 |
| tRAS: | 24 |
Дополнительная информация Samsung VLP DDR3 1333 Registered ECC DIMM 4Gb |
| Напряжение питания: | 1.5 В |
Чипы Samsung VLP DDR3 1333 Registered ECC DIMM 4Gb |
| Количество: | 18 |
| Упаковка: | двусторонняя |
