Общие характеристики Samsung DDR2 800 DIMM 512Mb |
| Тип: | DDR2 |
| Форм-фактор: | DIMM |
| Объем одного модуля: | 0.5 Гб |
| Количество контактов: | 240 |
| Количество модулей: | 1 |
| Количество ранков: | 1 |
| Тактовая частота: | 800 МГц |
| Пропускная способность: | 6400 Мб/с |
| Поддержка ECC: | нет |
| Буферизованная (Registered): | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile): | нет |
| Радиатор: | нет |
Тайминги Samsung DDR2 800 DIMM 512Mb |
| CL: | 5 |
| tRCD: | 5 |
| tRP: | 5 |
Дополнительная информация Samsung DDR2 800 DIMM 512Mb |
| Напряжение питания: | 1.8 В |
Чипы Samsung DDR2 800 DIMM 512Mb |
| Количество: | 8 |
| Упаковка: | односторонняя |