rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Team Group TXD316G2400HC11QC01. Отзывы о Team Group TXD316G2400HC11QC01.
bg

Team Group TXD316G2400HC11QC01 отзывы.


Вся память >> TEAM >> Team Group TXD316G2400HC11QC01

Описание Team Group TXD316G2400HC11QC01: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2400 МГц; Пропускная способность: 19200 Мб/с; Объем: 4 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Activate to Precharge Delay (tRAS): 28;...




Добавить отзыв о Team Group TXD316G2400HC11QC01
Имя: 
Отзыв: 
  
        8+1= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня


Hynix DDR2 667 DIMM 4Gb
Hynix DDR2 667 DIMM 4Gb Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 667 МГц; Пропускная способность: 5300 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.8 В; CAS Latency (CL): 5; RAS to CAS Delay...
Team Group TED24G800HC601
Team Group TED24G800HC601 Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.8 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 6; ...


bg