rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Team Group TED3L8G1600C11DC-S01. Отзывы о Team Group TED3L8G1600C11DC-S01.
bg

Team Group TED3L8G1600C11DC-S01 отзывы.

Вся память >> TEAM >> Team Group TED3L8G1600C11DC-S01

Описание Team Group TED3L8G1600C11DC-S01: Тип памяти: DDR3L; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.35 В; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Activate to Precharge Delay (tRAS): 28;...



Добавить отзыв о Team Group TED3L8G1600C11DC-S01
Имя: 
Отзыв: 
  
        9+2= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

GoodRAM GYB1866D364L10/8G
GoodRAM GYB1866D364L10/8G Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1866 МГц; Пропускная способность: 15000 Мб/с; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 1...
GoodRAM GYR1866D364L10/16GDC
GoodRAM GYR1866D364L10/16GDC Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1866 МГц; Пропускная способность: 15000 Мб/с; Объем: 2 модуля по 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL)...


bg