rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Team Group TED3L2G1600C11-S01. Отзывы о Team Group TED3L2G1600C11-S01.
bg

Team Group TED3L2G1600C11-S01 отзывы.

Вся память >> TEAM >> Team Group TED3L2G1600C11-S01

Описание Team Group TED3L2G1600C11-S01: Тип памяти: DDR3L; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 2 Гб; Напряжение питания: 1.35 В; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Activate to Precharge Delay (tRAS): 28;...



Добавить отзыв о Team Group TED3L2G1600C11-S01
Имя: 
Отзыв: 
  
        6+9= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

AMD R334G1339S1S-UO
AMD R334G1339S1S-UO Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб;...
AMD R938G2401U2S
AMD R938G2401U2S Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2400 МГц; Пропускная способность: 19200 Мб/с; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): ...


bg