rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Silicon Power SP512MBSDU333O02. Отзывы о Silicon Power SP512MBSDU333O02.
bg

Silicon Power SP512MBSDU333O02 отзывы.


Вся память >> Silicon Power >> Silicon Power SP512MBSDU333O02

Описание Silicon Power SP512MBSDU333O02: Тип памяти: DDR; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 333 МГц; Пропускная способность: 2700 Мб/с; Объем: 1 модуль 512 Мб; Напряжение питания: 2.5 В; Количество чипов каждого модуля: 8 двусторонняя упаковка; CAS Latency (CL): 2.5;...




Добавить отзыв о Silicon Power SP512MBSDU333O02
Имя: 
Отзыв: 
  
        2+9= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня


Silicon Power SP001GBSDU400O01
Silicon Power SP001GBSDU400O01 Тип памяти: DDR; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 400 МГц; Пропускная способность: 3200 Мб/с; Объем: 1 модуль 1 Гб; Напряжение питания: 2.5 В; CAS Latency (CL): 3;...
Silicon Power SP002GBSTU160V02
Silicon Power SP002GBSTU160V02 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 2 Гб; CAS Latency (CL): 9;...


bg