rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Silicon Power SP512MBLRE667O01. Отзывы о Silicon Power SP512MBLRE667O01.
bg

Silicon Power SP512MBLRE667O01 отзывы.

Вся память >> Silicon Power >> Silicon Power SP512MBLRE667O01

Описание Silicon Power SP512MBLRE667O01: Тип: DDR2; Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 0.5 Гб; Количество контактов: 240; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 667 МГц; Пропускная способность: 5300 Мб/с; Поддержка ECC: да; Буферизованная (Registered): нет; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Радиатор: нет; CL: 5; Напряжение питания: 1.8 В; Количество: 9;...



Добавить отзыв о Silicon Power SP512MBLRE667O01
Имя: 
Отзыв: 
  
        1+6= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Silicon Power SP512MBLRU533K02
Silicon Power SP512MBLRU533K02 Тип: DDR2; Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 0.5 Гб; Количество контактов: 240; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 533 МГц; Пропускная способность: 4200 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизов...
Silicon Power SP512MBLRU533L02
Silicon Power SP512MBLRU533L02 Тип: DDR2; Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 0.5 Гб; Количество контактов: 240; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 533 МГц; Пропускная способность: 4200 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизов...


bg