rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Silicon Power SP512MBLRE533O01. Отзывы о Silicon Power SP512MBLRE533O01.
bg

Silicon Power SP512MBLRE533O01 отзывы.

Вся память >> Silicon Power >> Silicon Power SP512MBLRE533O01

Описание Silicon Power SP512MBLRE533O01: Тип: DDR2; Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 0.5 Гб; Количество контактов: 240; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 533 МГц; Пропускная способность: 4200 Мб/с; Поддержка ECC: да; Буферизованная (Registered): нет; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Радиатор: нет; CL: 4; tRCD: 4; tRP: 4; Напряжение питания: 1.8 В; Количество: 9; Упаковка: односторонняя;...



Добавить отзыв о Silicon Power SP512MBLRE533O01
Имя: 
Отзыв: 
  
        7+4= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Silicon Power SP002GBRRE533S01
Silicon Power SP002GBRRE533S01 Тип: DDR2; Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 2 Гб; Количество контактов: 240; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 533 МГц; Пропускная способность: 4200 Мб/с; Поддержка ECC: да; Буферизованн...
Silicon Power SP001GBRRE533O01
Silicon Power SP001GBRRE533O01 Тип: DDR2; Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 1 Гб; Количество контактов: 240; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 533 МГц; Пропускная способность: 4200 Мб/с; Поддержка ECC: да; Буферизованн...


bg