rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Silicon Power SP512MBLDU333O02. Отзывы о Silicon Power SP512MBLDU333O02.
bg

Silicon Power SP512MBLDU333O02 отзывы.

Вся память >> Silicon Power >> Silicon Power SP512MBLDU333O02

Описание Silicon Power SP512MBLDU333O02: Тип памяти: DDR; Форм-фактор: DIMM 184-контактный; Тактовая частота: 333 МГц; Пропускная способность: 2700 Мб/с; Объем: 1 модуль 512 Мб; Напряжение питания: 2.5 В; Количество чипов каждого модуля: 8 односторонняя упаковка; CAS Latency (CL): 2.5; RAS to CAS Delay (tRCD): 3; Row Precharge Delay (tRP): 3;...



Добавить отзыв о Silicon Power SP512MBLDU333O02
Имя: 
Отзыв: 
  
        5+8= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Silicon Power SP001GBSRU800S02
Silicon Power SP001GBSRU800S02 Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 800 МГц; Объем: 1 модуль 1; Напряжение питания: 1.8 В; Количество чипов каждого модуля: 8 двусторонняя упаковка; CAS Latency (CL...
Kingston KHX1333C9D3B1/4G
Kingston KHX1333C9D3B1/4G Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Количество чипов каждого модуля: 16 двусторонняя упаковка; Радиатор: ес...


bg