rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Silicon Power SP256MBLDU266K02. Отзывы о Silicon Power SP256MBLDU266K02.
bg

Silicon Power SP256MBLDU266K02 отзывы.

Вся память >> Silicon Power >> Silicon Power SP256MBLDU266K02

Описание Silicon Power SP256MBLDU266K02: Тип: DDR; Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 0.25 Гб; Количество контактов: 184; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 266 МГц; Пропускная способность: 2100 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Радиатор: нет; CL: 2.5; tRCD: 3; tRP: 3; Напряжение питания: 2.5 В; Количество: 8; Упаковка: односторонняя;...



Добавить отзыв о Silicon Power SP256MBLDU266K02
Имя: 
Отзыв: 
  
        8+4= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Silicon Power SP256MBLDU266L02
Silicon Power SP256MBLDU266L02 Тип: DDR; Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 0.25 Гб; Количество контактов: 184; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 266 МГц; Пропускная способность: 2100 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизов...
Silicon Power SP256MBSDU333K02
Silicon Power SP256MBSDU333K02 Тип: DDR; Форм-фактор: SODIMM; Объем одного модуля: 0.25 Гб; Количество контактов: 200; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 333 МГц; Пропускная способность: 2700 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буфериз...


bg