rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Silicon Power SP008GBSTU133N02. Отзывы о Silicon Power SP008GBSTU133N02.
bg

Silicon Power SP008GBSTU133N02 отзывы.

Вся память >> Silicon Power >> Silicon Power SP008GBSTU133N02

Описание Silicon Power SP008GBSTU133N02: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 9; RAS to CAS Delay (tRCD): 9; Row Precharge Delay (tRP): 9;...



Добавить отзыв о Silicon Power SP008GBSTU133N02
Имя: 
Отзыв: 
  
        2+5= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

G.SKILL F3-1600C11S-8GIS
G.SKILL F3-1600C11S-8GIS Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 1...
GoodRAM GR1600S364L11/8G
GoodRAM GR1600S364L11/8G Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 8 Гб; CAS Latency (CL): 11;...


bg