rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Silicon Power SP006GBLYU213S3B. Отзывы о Silicon Power SP006GBLYU213S3B.
bg

Silicon Power SP006GBLYU213S3B отзывы.

Вся память >> Silicon Power >> Silicon Power SP006GBLYU213S3B

Описание Silicon Power SP006GBLYU213S3B: Тип: DDR3; Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 2 Гб; Количество контактов: 240; Количество модулей: 3; Количество ранков: 2; Тактовая частота: 2133 МГц; Пропускная способность: 17066 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Радиатор: да; CL: 9; Напряжение питания: 1.65 В; Количество: 16; Упаковка: двусторонняя;...



Добавить отзыв о Silicon Power SP006GBLYU213S3B
Имя: 
Отзыв: 
  
        8+9= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

G.SKILL F2-6400CL5S-2GBSK
G.SKILL F2-6400CL5S-2GBSK Тип: DDR2; Форм-фактор: SODIMM; Объем одного модуля: 2 Гб; Количество контактов: 200; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизов...
Patriot Memory PSD34G13332E
Patriot Memory PSD34G13332E Тип: DDR3; Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 4 Гб; Количество контактов: 240; Количество модулей: 1; Количество ранков: 2; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Поддерж...


bg