rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Silicon Power SP004GGXLYU160NSA. Отзывы о Silicon Power SP004GGXLYU160NSA.
bg

Silicon Power SP004GGXLYU160NSA отзывы.

Вся память >> Silicon Power >> Silicon Power SP004GGXLYU160NSA

Описание Silicon Power SP004GGXLYU160NSA: Тип: DDR3; Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 4 Гб; Количество контактов: 240; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Радиатор: да; CL: 9; Напряжение питания: 1.5 В;...



Добавить отзыв о Silicon Power SP004GGXLYU160NSA
Имя: 
Отзыв: 
  
        4+9= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Samsung DDR3 1866 DIMM 1Gb
Samsung DDR3 1866 DIMM 1Gb Тип: DDR3; Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 1 Гб; Количество контактов: 240; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 1866 МГц; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Низкопрофил...
Samsung DDR3L 1066 Registered ECC DIMM 2Gb
Samsung DDR3L 1066 Registered ECC DIMM 2Gb Тип: DDR3L; Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 2 Гб; Количество контактов: 240; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 1066 МГц; Пропускная способность: 8500 Мб/с; Поддержка ECC: да; Буферизова...


bg