rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Silicon Power SP004GBSTU160V02. Отзывы о Silicon Power SP004GBSTU160V02.
bg

Silicon Power SP004GBSTU160V02 отзывы.


Вся память >> Silicon Power >> Silicon Power SP004GBSTU160V02

Описание Silicon Power SP004GBSTU160V02: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Количество чипов каждого модуля: 16 двусторонняя упаковка; CAS Latency (CL): 11;...




Добавить отзыв о Silicon Power SP004GBSTU160V02
Имя: 
Отзыв: 
  
        4+1= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня


OCZ 3 GB (3x1GB) DDR3 1333 MHz (3G1333LV3GK)
OCZ 3 GB (3x1GB) DDR3 1333 MHz (3G1333LV3GK) Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Объем: 3 модуля по 1; Напряжение питания: 1.65 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 9; RAS to CAS Delay (tRCD): 9; Row P...
GoodRAM GR800D264L5/1G
GoodRAM GR800D264L5/1G Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с; Объем: 1 модуль 1; CAS Latency (CL): 5;...


bg