rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Silicon Power SP004GBSTU160N02. Отзывы о Silicon Power SP004GBSTU160N02.
bg

Silicon Power SP004GBSTU160N02 отзывы.


Вся память >> Silicon Power >> Silicon Power SP004GBSTU160N02

Описание Silicon Power SP004GBSTU160N02: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 11;...




Добавить отзыв о Silicon Power SP004GBSTU160N02
Имя: 
Отзыв: 
  
        7+2= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня


Silicon Power SP004GBLTU133N02
Silicon Power SP004GBLTU133N02 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 9;...
GoodRAM GR333S64L25/1G
GoodRAM GR333S64L25/1G Тип памяти: DDR; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 333 МГц; Пропускная способность: 2700 Мб/с; Объем: 1 модуль 1 Гб; Напряжение питания: 2.5 В; Количество ранков: 2; Количество чип...


bg