rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Silicon Power SP004GBLTU106V02. Отзывы о Silicon Power SP004GBLTU106V02.
bg

Silicon Power SP004GBLTU106V02 отзывы.

Вся память >> Silicon Power >> Silicon Power SP004GBLTU106V02

Описание Silicon Power SP004GBLTU106V02: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1066 МГц; Пропускная способность: 8500 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Количество чипов каждого модуля: 16 двусторонняя упаковка; CAS Latency (CL): 7;...



Добавить отзыв о Silicon Power SP004GBLTU106V02
Имя: 
Отзыв: 
  
        10+2= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

G.SKILL FA-5300CL5D-4GBSQ
G.SKILL FA-5300CL5D-4GBSQ Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 667 МГц; Объем: 2 модуля по 2; Напряжение питания: 1.8 В; Совместимость с ПК: APPLE; CAS Latency (CL): 5; RAS to CAS Delay (tRCD...
Kingston KVR1600D3D4R11S/8GHC
Kingston KVR1600D3D4R11S/8GHC Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Поддержка ECC: есть; Буферизованная (Registered): Есть; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряж...


bg