 |
 Отзывы о оперативной памяти Silicon Power SP002GBSRU667S02. Отзывы о Silicon Power SP002GBSRU667S02.
|
 |
Разделы
Каталог телефонов
Каталог ноутбуков
Каталог планшетов
Комп. Комплектующие
Игровые приставки
Каталог умных часов
Электронные книги
Каталог видеокамер
Цифровые фотоаппараты
Объективы
MP3 плееры
Bluetooth гарнитуры
GPS-навигаторы
Музыкальные центры
DVD-плееры
Портативные DVD-плееры
Радиотелефоны
LCD телевизоры
Аккумуляторы Power Bank
Флеш накопители
Автомагнитолы
Акустика
3G модемы
Видеорегистраторы
Тесты телефонов
Доска объявлений
Контакты
Новости
Новости
Каталог телефонов
Каталог ноутбуков
Каталог планшетов
Комп. Комплектующие
Игровые приставки
Каталог умных часов
Электронные книги
Каталог видеокамер
Цифровые фотоаппараты
Объективы
MP3 плееры
Bluetooth гарнитуры
GPS-навигаторы
Музыкальные центры
DVD-плееры
Портативные DVD-плееры
Радиотелефоны
LCD телевизоры
Аккумуляторы Power Bank
Флеш накопители
Автомагнитолы
Акустика
3G модемы
Видеорегистраторы
Тесты телефонов
Доска объявлений
Контакты
Новости
Новости
Silicon Power SP002GBSRU667S02 отзывы.
Вся память >> Silicon Power >> Silicon Power SP002GBSRU667S02
Описание Silicon Power SP002GBSRU667S02: Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 667 МГц; Пропускная способность: 5300 Мб/с; Объем: 1 модуль 2 Гб; Напряжение питания: 1.8 В; Количество чипов каждого модуля: 16 двусторонняя упаковка; CAS Latency (CL): 5; RAS to CAS Delay (tRCD): 5; Row Precharge Delay (tRP): 5;...
Добавить отзыв о Silicon Power SP002GBSRU667S02
Популярные сегодня
| Silicon Power SP002GBSRU800S02 | |
 |
Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 800 МГц; Объем: 1 модуль 2; Напряжение питания: 1.8 В; Количество чипов каждого модуля: 16 двусторонняя упаковка; CAS Latency (C... |
| Silicon Power SP001GBSRU667S02 | |
 |
Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 667 МГц; Объем памяти: 1 модуль 1 Гб; Напряжение питания: 1.8 В; Количество чипов каждого модуля: 8; CAS Latency (CL): 5;... |
|