rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Silicon Power SP002GBRRE667S01. Отзывы о Silicon Power SP002GBRRE667S01.
bg

Silicon Power SP002GBRRE667S01 отзывы.

Вся память >> Silicon Power >> Silicon Power SP002GBRRE667S01

Описание Silicon Power SP002GBRRE667S01: Тип: DDR2; Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 2 Гб; Количество контактов: 240; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 667 МГц; Пропускная способность: 5300 Мб/с; Поддержка ECC: да; Буферизованная (Registered): да; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Радиатор: нет; CL: 5; tRCD: 5; tRP: 5; Напряжение питания: 1.8 В; Количество: 18; Упаковка: двусторонняя;...



Добавить отзыв о Silicon Power SP002GBRRE667S01
Имя: 
Отзыв: 
  
        4+9= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Silicon Power SP256MBLDU266K02
Silicon Power SP256MBLDU266K02 Тип: DDR; Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 0.25 Гб; Количество контактов: 184; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 266 МГц; Пропускная способность: 2100 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизов...
Silicon Power SP256MBLDU266L02
Silicon Power SP256MBLDU266L02 Тип: DDR; Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 0.25 Гб; Количество контактов: 184; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 266 МГц; Пропускная способность: 2100 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизов...


bg