rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Silicon Power SP002GBLRU533S02. Отзывы о Silicon Power SP002GBLRU533S02.
bg

Silicon Power SP002GBLRU533S02 отзывы.


Вся память >> Silicon Power >> Silicon Power SP002GBLRU533S02

Описание Silicon Power SP002GBLRU533S02: Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 533 МГц; Пропускная способность: 4200 Мб/с; Объем: 1 модуль 2 Гб; Напряжение питания: 1.8 В; Количество чипов каждого модуля: 16 двусторонняя упаковка; CAS Latency (CL): 4; RAS to CAS Delay (tRCD): 4; Row Precharge Delay (tRP): 4;...




Добавить отзыв о Silicon Power SP002GBLRU533S02
Имя: 
Отзыв: 
  
        5+2= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня


Silicon Power SP004GBLTU160N02
Silicon Power SP004GBLTU160N02 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 1; CAS Latency (...
Kingston KHX13C9B1R/4
Kingston KHX13C9B1R/4 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 16 двусторонняя ...


bg