rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Silicon Power SP001GBSRU667S02. Отзывы о Silicon Power SP001GBSRU667S02.
bg

Silicon Power SP001GBSRU667S02 отзывы.

Вся память >> Silicon Power >> Silicon Power SP001GBSRU667S02

Описание Silicon Power SP001GBSRU667S02: Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 667 МГц; Объем памяти: 1 модуль 1 Гб; Напряжение питания: 1.8 В; Количество чипов каждого модуля: 8; CAS Latency (CL): 5;...



Добавить отзыв о Silicon Power SP001GBSRU667S02
Имя: 
Отзыв: 
  
        9+2= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

GoodRAM GR1333D364L9/4GDC
GoodRAM GR1333D364L9/4GDC Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Объем: 2 модуля по 2 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 9;...
GoodRAM GR2133D464L15/8G
GoodRAM GR2133D464L15/8G Тип памяти: DDR4; Форм-фактор: DIMM 288-контактный; Тактовая частота: 2133 МГц; Пропускная способность: 17000 Мб/с; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряжение питания: 1.2 В; CAS Latency (CL): 15;...


bg