rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Silicon Power SP001GBSRU533S02. Отзывы о Silicon Power SP001GBSRU533S02.
bg

Silicon Power SP001GBSRU533S02 отзывы.

Вся память >> Silicon Power >> Silicon Power SP001GBSRU533S02

Описание Silicon Power SP001GBSRU533S02: Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 533 МГц; Пропускная способность: 4200 Мб/с; Объем памяти: 1 модуль 1 Гб; Напряжение питания: 1.8 В; Количество чипов каждого модуля: 8; CAS Latency (CL): 4;...



Добавить отзыв о Silicon Power SP001GBSRU533S02
Имя: 
Отзыв: 
  
        10+6= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

G.SKILL F3-8500CL7D-4GBSQ
G.SKILL F3-8500CL7D-4GBSQ Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1066 МГц; Пропускная способность: 8500 Мб/с; Объем: 2 модуля по 2 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 7; RAS to CAS...
G.SKILL F3-1600C10S-8GSQ
G.SKILL F3-1600C10S-8GSQ Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 10; RAS to CAS ...


bg