rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Silicon Power SP001GBLRU667S02. Отзывы о Silicon Power SP001GBLRU667S02.
bg

Silicon Power SP001GBLRU667S02 отзывы.


Вся память >> Silicon Power >> Silicon Power SP001GBLRU667S02

Описание Silicon Power SP001GBLRU667S02: Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 667 МГц; Объем памяти: 1 модуль 1 Гб; Напряжение питания: 1.8 В; Количество чипов каждого модуля: 8; CAS Latency (CL): 5;...




Добавить отзыв о Silicon Power SP001GBLRU667S02
Имя: 
Отзыв: 
  
        8+3= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня


Hynix DDR3 1600 DIMM 2Gb
Hynix DDR3 1600 DIMM 2Gb Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 2 Гб;...
Silicon Power SP002GBSRU533S02
Silicon Power SP002GBSRU533S02 Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 533 МГц; Пропускная способность: 4200 Мб/с; Объем памяти: 1 модуль 2 Гб; Напряжение питания: 1.8 В; Количество чипов каждого мод...


bg