rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Silicon Power SP001GBLRU533S02. Отзывы о Silicon Power SP001GBLRU533S02.
bg

Silicon Power SP001GBLRU533S02 отзывы.


Вся память >> Silicon Power >> Silicon Power SP001GBLRU533S02

Описание Silicon Power SP001GBLRU533S02: Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 533 МГц; Пропускная способность: 4200 Мб/с; Объем: 1 модуль 1 Гб; Напряжение питания: 1.8 В; Количество чипов каждого модуля: 8; CAS Latency (CL): 4; RAS to CAS Delay (tRCD): 4; Row Precharge Delay (tRP): 4;...




Добавить отзыв о Silicon Power SP001GBLRU533S02
Имя: 
Отзыв: 
  
        7+9= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня


Kingston KTL2975C6/1G
Kingston KTL2975C6/1G Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с; Объем памяти: 1 модуль 1 Гб; CAS Latency (CL): 6;...
Kingston KTH-XW4400C6/2G
Kingston KTH-XW4400C6/2G Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с; Объем памяти: 1 модуль 2 Гб; CAS Latency (CL): 6;...


bg