rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Silicon Power SP001GBLRE667O01. Отзывы о Silicon Power SP001GBLRE667O01.
bg

Silicon Power SP001GBLRE667O01 отзывы.

Вся память >> Silicon Power >> Silicon Power SP001GBLRE667O01

Описание Silicon Power SP001GBLRE667O01: Тип: DDR2; Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 1 Гб; Количество контактов: 240; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 667 МГц; Пропускная способность: 5300 Мб/с; Поддержка ECC: да; Буферизованная (Registered): нет; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Радиатор: нет; CL: 5; tRCD: 5; tRP: 5; Напряжение питания: 1.8 В; Количество: 18; Упаковка: двусторонняя;...



Добавить отзыв о Silicon Power SP001GBLRE667O01
Имя: 
Отзыв: 
  
        5+6= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Silicon Power SP001GBLRE800O01
Silicon Power SP001GBLRE800O01 Тип: DDR2; Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 1 Гб; Количество контактов: 240; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с; Поддержка ECC: да; Буферизованн...
Silicon Power SP001GBLRU533O02
Silicon Power SP001GBLRU533O02 Тип: DDR2; Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 1 Гб; Количество контактов: 240; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 533 МГц; Пропускная способность: 4200 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизован...


bg