rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Silicon-Power 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 (SP004GBSTU160N01). Отзывы о Silicon-Power 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 (SP004GBSTU160N01).
bg

Silicon-Power 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 (SP004GBSTU160N01) отзывы.

Вся память >> Silicon Power >> Silicon-Power 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 (SP004GBSTU160N01)

Описание Silicon-Power 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 (SP004GBSTU160N01): Набор: нет; Объем: 4 ГБ; Тип: DDR3 SO-DIMM; ECC: нет; Частота: 1600 МГц; PC-индекс: PC3-12800; CAS Latency: 11T; Тайминги: 11-11-11; Напряжение питания: 1.5 В; Количество банков: 1; Число микросхем: 8; Ёмкость микросхем: 4 Гбит; Тип микросхем: 512Mx8; Профили XMP: нет; Профили AMP: нет; Охлаждение: нет; Низкопрофильный модуль: нет;...



Добавить отзыв о Silicon-Power 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 (SP004GBSTU160N01)
Имя: 
Отзыв: 
  
        1+10= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Silicon-Power 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 (SP004GBSTU160N02)
Silicon-Power 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 (SP004GBSTU160N02) Набор: нет; Объем: 4 ГБ; Тип: DDR3 SO-DIMM; ECC: нет; Частота: 1600 МГц; PC-индекс: PC3-12800; CAS Latency: 11T; Тайминги: 11-11-11; Напряжение питания: 1.5 В; Количество банков: 1; Число микросхем: 8...
Silicon-Power 4GB SO-DIMM DDR3 PC3-12800 (SP004GBSTU160V01)
Silicon-Power 4GB SO-DIMM DDR3 PC3-12800 (SP004GBSTU160V01) Набор: нет; Объем: 4 ГБ; Тип: DDR3 SO-DIMM; ECC: нет; Частота: 1600 МГц; PC-индекс: PC3-12800; CAS Latency: 11T; Тайминги: 11-11-11; Напряжение питания: 1.5 В; Количество банков: 2; Число микросхем: 1...


bg