rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Silicon-Power 4GB DDR3 PC3-12800 (SP004GBLTU160N02). Отзывы о Silicon-Power 4GB DDR3 PC3-12800 (SP004GBLTU160N02).
bg

Silicon-Power 4GB DDR3 PC3-12800 (SP004GBLTU160N02) отзывы.

Вся память >> Silicon Power >> Silicon-Power 4GB DDR3 PC3-12800 (SP004GBLTU160N02)

Описание Silicon-Power 4GB DDR3 PC3-12800 (SP004GBLTU160N02): Набор: нет; Объем: 4 ГБ; Тип: DDR3 DIMM; ECC: нет; Частота: 1600 МГц; PC-индекс: PC3-12800; CAS Latency: 11T; Тайминги: 11-11-11; Напряжение питания: 1.5 В; Профили XMP: нет; Профили AMP: нет; Охлаждение: нет; Низкопрофильный модуль: нет;...



Добавить отзыв о Silicon-Power 4GB DDR3 PC3-12800 (SP004GBLTU160N02)
Имя: 
Отзыв: 
  
        8+7= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Kingston ValueRAM 2x512MB KIT DDR2 PC2-6400 (KVR800D2N5K2/1G)
Kingston ValueRAM 2x512MB KIT DDR2 PC2-6400 (KVR800D2N5K2/1G) Набор: есть двухканальный (2 модуля); Объем: 2 ГБ; Тип: DDR2 DIMM; ECC: нет; Частота: 800 МГц; PC-индекс: PC2-6400; CAS Latency: 5T; Напряжение питания: 1.8 В; Количество банков: 1; Производитель микр...
Samsung 4GB DDR2 PC2-5300 (M393T5160QZA-CE6)
Samsung 4GB DDR2 PC2-5300 (M393T5160QZA-CE6) Набор: нет; Объем: 4 ГБ; Тип: DDR2 DIMM; ECC: есть; Частота: 667 МГц; PC-индекс: PC2-5300; CAS Latency: 5T; Тайминги: 5-5-5; Напряжение питания: 1.8 В; Количество банков: 2; Производитель микросхем: S...


bg