rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Silicon-Power 4GB DDR3 PC3-10600 (SP004GBVTU133N01). Отзывы о Silicon-Power 4GB DDR3 PC3-10600 (SP004GBVTU133N01).
bg

Silicon-Power 4GB DDR3 PC3-10600 (SP004GBVTU133N01) отзывы.

Вся память >> Silicon Power >> Silicon-Power 4GB DDR3 PC3-10600 (SP004GBVTU133N01)

Описание Silicon-Power 4GB DDR3 PC3-10600 (SP004GBVTU133N01): Набор: нет; Объем: 4 ГБ; Тип: DDR3 DIMM; ECC: нет; Частота: 1333 МГц; PC-индекс: PC3-10600; CAS Latency: 9T; Напряжение питания: 1.5 В; Профили XMP: нет; Профили AMP: нет; Охлаждение: нет; Низкопрофильный модуль: есть;...



Добавить отзыв о Silicon-Power 4GB DDR3 PC3-10600 (SP004GBVTU133N01)
Имя: 
Отзыв: 
  
        8+4= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

GOODRAM 4GB DDR3 PC3-12800 (GR1600D364L11S/4G)
GOODRAM 4GB DDR3 PC3-12800 (GR1600D364L11S/4G) Набор: нет; Объем: 4 ГБ; Тип: DDR3 DIMM; ECC: нет; Частота: 1600 МГц; PC-индекс: PC3-12800; CAS Latency: 11T; Напряжение питания: 1.5 В; Количество банков: 1; Число микросхем: 8; Ёмкость микросхем: 4 ...
GOODRAM 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 (GR1600S3V64L11S/4G)
GOODRAM 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 (GR1600S3V64L11S/4G) Набор: нет; Объем: 4 ГБ; Тип: DDR3 SO-DIMM; ECC: нет; Частота: 1600 МГц; PC-индекс: PC3-12800; Тайминги: 2-3-2-6-1; Напряжение питания: 1.35 В; Количество банков: 1; Число микросхем: 8; Ёмкость микрос...


bg