rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Silicon-Power 4GB DDR3 PC3-10600 (SP004GBLTU133V02). Отзывы о Silicon-Power 4GB DDR3 PC3-10600 (SP004GBLTU133V02).
bg

Silicon-Power 4GB DDR3 PC3-10600 (SP004GBLTU133V02) отзывы.

Вся память >> Silicon Power >> Silicon-Power 4GB DDR3 PC3-10600 (SP004GBLTU133V02)

Описание Silicon-Power 4GB DDR3 PC3-10600 (SP004GBLTU133V02): Набор: нет; Объем: 4 ГБ; Тип: DDR3 DIMM; ECC: нет; Частота: 1333 МГц; PC-индекс: PC3-10600; CAS Latency: 9T; Тайминги: 9-9-9; Напряжение питания: 1.5 В; Количество банков: 2; Число микросхем: 16; Ёмкость микросхем: 2 Гбит; Тип микросхем: 256Mx8; Профили XMP: нет; Охлаждение: нет; Низкопрофильный модуль: нет;...



Добавить отзыв о Silicon-Power 4GB DDR3 PC3-10600 (SP004GBLTU133V02)
Имя: 
Отзыв: 
  
        2+9= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Silicon-Power 4GB DDR3 PC3-12800 (SP004GBLTU160V01)
Silicon-Power 4GB DDR3 PC3-12800 (SP004GBLTU160V01) Набор: нет; Объем: 4 ГБ; Тип: DDR3 DIMM; ECC: нет; Частота: 1600 МГц; PC-индекс: PC3-12800; CAS Latency: 11T; Тайминги: 11-11-11; Напряжение питания: 1.5 В; Количество банков: 2; Число микросхем: 16; ...
Silicon-Power 4GB DDR3 PC3-12800 (SP004GBLTU160V02)
Silicon-Power 4GB DDR3 PC3-12800 (SP004GBLTU160V02) Набор: нет; Объем: 4 ГБ; Тип: DDR3 DIMM; ECC: нет; Частота: 1600 МГц; PC-индекс: PC3-12800; CAS Latency: 11T; Тайминги: 11-11-11; Напряжение питания: 1.5 В; Количество банков: 2; Число микросхем: 16; ...


bg