rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Silicon-Power 1GB DDR3 PC3-8500 (SP001GBLTU106S02). Отзывы о Silicon-Power 1GB DDR3 PC3-8500 (SP001GBLTU106S02).
bg

Silicon-Power 1GB DDR3 PC3-8500 (SP001GBLTU106S02) отзывы.

Вся память >> Silicon Power >> Silicon-Power 1GB DDR3 PC3-8500 (SP001GBLTU106S02)

Описание Silicon-Power 1GB DDR3 PC3-8500 (SP001GBLTU106S02): Набор: нет; Объем: 1 ГБ; Тип: DDR3 DIMM; ECC: нет; Частота: 1066 МГц; PC-индекс: PC3-8500; CAS Latency: 7T; Тайминги: 7-7-7; Напряжение питания: 1.5 В; Количество банков: 1; Число микросхем: 8; Ёмкость микросхем: 1 Гбит; Тип микросхем: 128Mx8; Профили XMP: нет; Профили AMP: нет; Охлаждение: нет; Низкопрофильный модуль: нет;...



Добавить отзыв о Silicon-Power 1GB DDR3 PC3-8500 (SP001GBLTU106S02)
Имя: 
Отзыв: 
  
        6+4= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Silicon-Power 1GB DDR3 PC3-10600 (SP001GBLTU133S02)
Silicon-Power 1GB DDR3 PC3-10600 (SP001GBLTU133S02) Набор: нет; Объем: 1 ГБ; Тип: DDR3 DIMM; ECC: нет; Частота: 1333 МГц; PC-индекс: PC3-10600; CAS Latency: 9T; Напряжение питания: 1.5 В; Количество банков: 1; Число микросхем: 8; Ёмкость микросхем: 1 Г...
Silicon-Power 1GB SO-DIMM DDR PC-3200 (SP001GBSDU400O02)
Silicon-Power 1GB SO-DIMM DDR PC-3200 (SP001GBSDU400O02) Набор: нет; Объем: 1 ГБ; Тип: DDR DIMM; ECC: нет; Частота: 400 МГц; PC-индекс: PC-3200; CAS Latency: 3T; Напряжение питания: 2.5 В; Количество банков: 2; Производитель микросхем: Hynix; Число микросхе...


bg