rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Silicon-Power 1GB DDR2 PC2-6400 (SP001GBLRU800O01). Отзывы о Silicon-Power 1GB DDR2 PC2-6400 (SP001GBLRU800O01).
bg

Silicon-Power 1GB DDR2 PC2-6400 (SP001GBLRU800O01) отзывы.

Вся память >> Silicon Power >> Silicon-Power 1GB DDR2 PC2-6400 (SP001GBLRU800O01)

Описание Silicon-Power 1GB DDR2 PC2-6400 (SP001GBLRU800O01): Набор: нет; Объем: 1 ГБ; Тип: DDR2 DIMM; ECC: нет; Частота: 800 МГц; PC-индекс: PC2-6400; CAS Latency: 5T; Тайминги: 5-5-5; Напряжение питания: 1.8 В; Количество банков: 2; Число микросхем: 16; Ёмкость микросхем: 512 Мбит; Тип микросхем: 64Mx8; Профили XMP: нет; Охлаждение: нет; Низкопрофильный модуль: нет;...



Добавить отзыв о Silicon-Power 1GB DDR2 PC2-6400 (SP001GBLRU800O01)
Имя: 
Отзыв: 
  
        5+5= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Silicon-Power 1GB DDR2 PC2-6400 (SP001GBLRU800O02)
Silicon-Power 1GB DDR2 PC2-6400 (SP001GBLRU800O02) Набор: нет; Объем: 1 ГБ; Тип: DDR2 DIMM; ECC: нет; Частота: 800 МГц; PC-индекс: PC2-6400; CAS Latency: 5T; Тайминги: 5-5-5; Напряжение питания: 1.8 В; Количество банков: 2; Число микросхем: 16; Ёмкост...
Silicon-Power 1GB DDR2 PC2-6400 (SP001GBLRU800S02)
Silicon-Power 1GB DDR2 PC2-6400 (SP001GBLRU800S02) Набор: нет; Объем: 1 ГБ; Тип: DDR2 DIMM; ECC: нет; Частота: 800 МГц; PC-индекс: PC2-6400; CAS Latency: 5T; Напряжение питания: 1.8 В; Количество банков: 1; Число микросхем: 8; Ёмкость микросхем: 1 Гби...


bg