rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Samsung SO-DIMM DDR PC-2700 1 ?? (M470L2923F60-CB3). Отзывы о Samsung SO-DIMM DDR PC-2700 1 ?? (M470L2923F60-CB3).
bg

Samsung SO-DIMM DDR PC-2700 1 ?? (M470L2923F60-CB3) отзывы.

Вся память >> Samsung >> Samsung SO-DIMM DDR PC-2700 1 ?? (M470L2923F60-CB3)

Описание Samsung SO-DIMM DDR PC-2700 1 ?? (M470L2923F60-CB3): Набор: нет; Объем: 1 ГБ; Тип: DDR SO-DIMM; ECC: нет; Частота: 333 МГц; PC-индекс: PC-2700; CAS Latency: 2.5T; Тайминги: 2.5-3-3; Напряжение питания: 2.5 В; Количество банков: 2; Производитель микросхем: Samsung; Число микросхем: 16; Ёмкость микросхем: 512 Мбит; Тип микросхем: 64Mx8; Профили XMP: нет; Охлаждение: нет; Низкопрофильный модуль: нет;...



Добавить отзыв о Samsung SO-DIMM DDR PC-2700 1 ?? (M470L2923F60-CB3)
Имя: 
Отзыв: 
  
        8+5= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Samsung DDR3 PC3-10600 1 ?? (M378B2873DZ1-CH9)
Samsung DDR3 PC3-10600 1 ?? (M378B2873DZ1-CH9) Набор: нет; Объем: 1 ГБ; Тип: DDR3 DIMM; ECC: нет; Частота: 1333 МГц; PC-индекс: PC3-10600; CAS Latency: 9T; Тайминги: 9-9-9; Напряжение питания: 1.5 В; Количество банков: 1; Производитель микросхем: ...
Samsung DDR3 PC3-10600 1 ?? (M378B2873EH1-CH9)
Samsung DDR3 PC3-10600 1 ?? (M378B2873EH1-CH9) Набор: нет; Объем: 1 ГБ; Тип: DDR3 DIMM; ECC: нет; Частота: 1333 МГц; PC-индекс: PC3-10600; CAS Latency: 9T; Тайминги: 9-9-9; Напряжение питания: 1.5 В; Количество банков: 1; Производитель микросхем: ...


bg