rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Samsung SO-DIMM DDR3 PC3-12800 4GB (M471B5273CH0-CK0). Отзывы о Samsung SO-DIMM DDR3 PC3-12800 4GB (M471B5273CH0-CK0).
bg

Samsung SO-DIMM DDR3 PC3-12800 4GB (M471B5273CH0-CK0) отзывы.

Вся память >> Samsung >> Samsung SO-DIMM DDR3 PC3-12800 4GB (M471B5273CH0-CK0)

Описание Samsung SO-DIMM DDR3 PC3-12800 4GB (M471B5273CH0-CK0): Набор: нет; Объем: 4 ГБ; Тип: DDR3 SO-DIMM; ECC: нет; Частота: 1600 МГц; PC-индекс: PC3-12800; CAS Latency: 11T; Тайминги: 11-11-11; Напряжение питания: 1.5 В; Количество банков: 2; Производитель микросхем: Samsung; Число микросхем: 16; Ёмкость микросхем: 2 Гбит; Тип микросхем: 256Mx8; Профили XMP: нет; Охлаждение: нет; Низкопрофильный модуль: нет;...



Добавить отзыв о Samsung SO-DIMM DDR3 PC3-12800 4GB (M471B5273CH0-CK0)
Имя: 
Отзыв: 
  
        6+7= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Samsung 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 (M471B5273EB0-CK0)
Samsung 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 (M471B5273EB0-CK0) Набор: нет; Объем: 4 ГБ; Тип: DDR3 SO-DIMM; ECC: нет; Частота: 1600 МГц; PC-индекс: PC3-12800; CAS Latency: 11T; Тайминги: 11-11-11; Напряжение питания: 1.5 В; Количество банков: 2; Производитель микр...
Samsung SO-DIMM DDR3 PC3-12800 2GB (M471B5673FH0-CK0)
Samsung SO-DIMM DDR3 PC3-12800 2GB (M471B5673FH0-CK0) Набор: нет; Объем: 2 ГБ; Тип: DDR3 SO-DIMM; ECC: нет; Частота: 1600 МГц; PC-индекс: PC3-12800; CAS Latency: 11T; Тайминги: 11-11-11; Напряжение питания: 1.5 В; Количество банков: 2; Производитель микр...


bg