rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Samsung M471A1K43EB1-CWE. Отзывы о Samsung M471A1K43EB1-CWE.
bg

Samsung M471A1K43EB1-CWE отзывы.

Вся память >> Samsung >> Samsung M471A1K43EB1-CWE

Описание Samsung M471A1K43EB1-CWE: Тип: DDR4; Форм-фактор: SODIMM; Объем одного модуля: 8 Гб; Количество модулей: 1; Количество контактов: 260; Количество рангов: 1; Тактовая частота: 3 200 МГц; Пропускная способность: 25 600 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Радиатор: нет; Игровая: нет; CL: 22; Напряжение питания: 1.2 В; Чипы: Количество: 8;...



Добавить отзыв о Samsung M471A1K43EB1-CWE
Имя: 
Отзыв: 
  
        9+4= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

G.SKILL F4-3200C16D-16GIS
G.SKILL F4-3200C16D-16GIS Тип: DDR4; Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 8 Гб; Количество модулей: 2; Количество контактов: 288; Тактовая частота: 3 200 МГц; Пропускная способность: 25 600 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буфериз...
AFOX AFSD416FS1P
AFOX AFSD416FS1P Тип: DDR4; Форм-фактор: SODIMM; Количество модулей: 1; Количество контактов: 260; Тактовая частота: 2 666 МГц; Пропускная способность: 21 300 Мб/с; Радиатор: нет; CL: 19; Напряжение питания: 1.2 В;...


bg