rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Samsung DDR PC-3200 1 ?? (M368L2923FLN-CCC). Отзывы о Samsung DDR PC-3200 1 ?? (M368L2923FLN-CCC).
bg

Samsung DDR PC-3200 1 ?? (M368L2923FLN-CCC) отзывы.

Вся память >> Samsung >> Samsung DDR PC-3200 1 ?? (M368L2923FLN-CCC)

Описание Samsung DDR PC-3200 1 ?? (M368L2923FLN-CCC): Набор: нет; Объем: 1 ГБ; Тип: DDR DIMM; ECC: нет; Частота: 400 МГц; PC-индекс: PC-3200; CAS Latency: 3T; Тайминги: 3-3-3; Напряжение питания: 2.5 В; Количество банков: 2; Производитель микросхем: Samsung; Число микросхем: 16; Ёмкость микросхем: 512 Мбит; Тип микросхем: 64Mx8; Профили XMP: нет; Охлаждение: нет; Низкопрофильный модуль: нет;...



Добавить отзыв о Samsung DDR PC-3200 1 ?? (M368L2923FLN-CCC)
Имя: 
Отзыв: 
  
        9+4= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Samsung DDR2 PC2-6400 1 ?? (M378T2863EHS-CF7)
Samsung DDR2 PC2-6400 1 ?? (M378T2863EHS-CF7) Набор: нет; Объем: 1 ГБ; Тип: DDR2 DIMM; ECC: нет; Частота: 800 МГц; PC-индекс: PC2-6400; CAS Latency: 6T; Тайминги: 6-6-6; Напряжение питания: 1.8 В; Количество банков: 1; Производитель микросхем: Sa...
Samsung DDR2 PC2-6400 1 ?? (M378T2863EHS-CE7)
Samsung DDR2 PC2-6400 1 ?? (M378T2863EHS-CE7) Набор: нет; Объем: 1 ГБ; Тип: DDR2 DIMM; ECC: нет; Частота: 800 МГц; PC-индекс: PC2-6400; CAS Latency: 5T; Тайминги: 5-5-5; Напряжение питания: 1.8 В; Количество банков: 1; Производитель микросхем: Sa...


bg