rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Samsung DDR3 PC3-12800 4GB (M378B5173CB0-CK0). Отзывы о Samsung DDR3 PC3-12800 4GB (M378B5173CB0-CK0).
bg

Samsung DDR3 PC3-12800 4GB (M378B5173CB0-CK0) отзывы.

Вся память >> Samsung >> Samsung DDR3 PC3-12800 4GB (M378B5173CB0-CK0)

Описание Samsung DDR3 PC3-12800 4GB (M378B5173CB0-CK0): Набор: нет; Объем: 4 ГБ; Тип: DDR3 DIMM; ECC: нет; Частота: 1600 МГц; PC-индекс: PC3-14400; CAS Latency: 11T; Тайминги: 11-11-11; Напряжение питания: 1.5 В; Количество банков: 1; Число микросхем: 8; Ёмкость микросхем: 4 Гбит; Тип микросхем: 512Mx8; Профили XMP: нет; Профили AMP: нет; Охлаждение: нет; Низкопрофильный модуль: нет;...



Добавить отзыв о Samsung DDR3 PC3-12800 4GB (M378B5173CB0-CK0)
Имя: 
Отзыв: 
  
        4+4= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Samsung DDR3 PC3-10600 4GB (M378B5273CH0-CH9)
Samsung DDR3 PC3-10600 4GB (M378B5273CH0-CH9) Набор: нет; Объем: 4 ГБ; Тип: DDR3 DIMM; ECC: нет; Частота: 1333 МГц; PC-индекс: PC3-10600; CAS Latency: 9T; Тайминги: 9-9-9; Напряжение питания: 1.5 В; Количество банков: 2; Производитель микросхем: ...
Samsung 4GB DDR3 PC3-12800 (M378B5273CH0-CK0)
Samsung 4GB DDR3 PC3-12800 (M378B5273CH0-CK0) Набор: нет; Объем: 4 ГБ; Тип: DDR3 DIMM; ECC: нет; Частота: 1600 МГц; PC-индекс: PC3-12800; CAS Latency: 11T; Тайминги: 11-11-11; Напряжение питания: 1.5 В; Количество банков: 2; Производитель микросх...


bg