rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Samsung DDR3 PC3-10600 2 ?? (M378B5673DZ1-CH9). Отзывы о Samsung DDR3 PC3-10600 2 ?? (M378B5673DZ1-CH9).
bg

Samsung DDR3 PC3-10600 2 ?? (M378B5673DZ1-CH9) отзывы.

Вся память >> Samsung >> Samsung DDR3 PC3-10600 2 ?? (M378B5673DZ1-CH9)

Описание Samsung DDR3 PC3-10600 2 ?? (M378B5673DZ1-CH9): Набор: нет; Объем: 2 ГБ; Тип: DDR3 DIMM; ECC: нет; Частота: 1333 МГц; PC-индекс: PC3-10600; CAS Latency: 9T; Тайминги: 9-9-9; Напряжение питания: 1.5 В; Количество банков: 2; Производитель микросхем: Samsung; Число микросхем: 16; Ёмкость микросхем: 1 Гбит; Тип микросхем: 128Mx8; Профили XMP: нет; Охлаждение: нет; Низкопрофильный модуль: нет;...



Добавить отзыв о Samsung DDR3 PC3-10600 2 ?? (M378B5673DZ1-CH9)
Имя: 
Отзыв: 
  
        9+10= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Samsung DDR3 PC3-10600 2 ?? (M391B5673EH1-CH9)
Samsung DDR3 PC3-10600 2 ?? (M391B5673EH1-CH9) Набор: нет; Объем: 2 ГБ; Тип: DDR3 DIMM; ECC: нет; Частота: 1333 МГц; PC-индекс: PC3-10600; CAS Latency: 9T; Тайминги: 9-9-9; Напряжение питания: 1.5 В; Количество банков: 2; Производитель микросхем: ...
Samsung DDR3 PC3-10600 4 ?? (M378B5273BH1-CH9)
Samsung DDR3 PC3-10600 4 ?? (M378B5273BH1-CH9) Набор: нет; Объем: 4 ГБ; Тип: DDR3 DIMM; ECC: нет; Частота: 1333 МГц; PC-индекс: PC3-10600; CAS Latency: 9T; Тайминги: 9-9-9; Напряжение питания: 1.5 В; Количество банков: 2; Производитель микросхем: ...


bg