rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Samsung 2GB DDR3 PC3-12800 (M378B5773EB0-CK0). Отзывы о Samsung 2GB DDR3 PC3-12800 (M378B5773EB0-CK0).
bg

Samsung 2GB DDR3 PC3-12800 (M378B5773EB0-CK0) отзывы.

Вся память >> Samsung >> Samsung 2GB DDR3 PC3-12800 (M378B5773EB0-CK0)

Описание Samsung 2GB DDR3 PC3-12800 (M378B5773EB0-CK0): Набор: нет; Объем: 2 ГБ; Тип: DDR3 DIMM; ECC: нет; Частота: 1600 МГц; PC-индекс: PC3-12800; CAS Latency: 11T; Тайминги: 11-11-11; Напряжение питания: 1.5 В; Количество банков: 1; Производитель микросхем: Samsung; Число микросхем: 8; Ёмкость микросхем: 2 Гбит; Тип микросхем: 256Mx8; Профили XMP: нет; Профили AMP: нет; Охлаждение: нет; Низкопрофильный модуль: нет;...



Добавить отзыв о Samsung 2GB DDR3 PC3-12800 (M378B5773EB0-CK0)
Имя: 
Отзыв: 
  
        7+1= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Samsung DDR2 PC2-6400 2GB (M378T5663QZ3-CF7)
Samsung DDR2 PC2-6400 2GB (M378T5663QZ3-CF7) Набор: нет; Объем: 2 ГБ; Тип: DDR2 DIMM; ECC: нет; Частота: 800 МГц; PC-индекс: PC2-6400; CAS Latency: 6T; Напряжение питания: 1.8 В; Количество банков: 2; Производитель микросхем: Samsung; Число микр...
Samsung DDR3 PC3-10600 8GB (M393B1K70CH0-CH9)
Samsung DDR3 PC3-10600 8GB (M393B1K70CH0-CH9) Набор: нет; Объем: 8 ГБ; Тип: DDR3 DIMM Registered; ECC: есть; Частота: 1333 МГц; PC-индекс: PC3-10600; CAS Latency: 9T; Тайминги: 9-9-9; Напряжение питания: 1.5 В; Количество банков: 2; Производитель...


bg