rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Samsung 2 GB DDR3 1333 MHz (K4B2G0846С). Отзывы о Samsung 2 GB DDR3 1333 MHz (K4B2G0846С).
bg

Samsung 2 GB DDR3 1333 MHz (K4B2G0846С) отзывы.

Вся память >> Samsung >> Samsung 2 GB DDR3 1333 MHz (K4B2G0846С)

Описание Samsung 2 GB DDR3 1333 MHz (K4B2G0846С): Производитель: Samsung; Назначение: для настoльных кoмпьютерoв; Объем, ГБ: 2; Количество планок в комплекте: 1; Тип: DDR3; Стандарт: PC3-10600; Эффективная частота, МГц: 1333; Штатные тайминги : CL9; Рабочее напряжение, В: 1,5; Радиаторы: нет; Поддержка XMP : нет; Проверка и коррекция ошибок (ECC): нет; Буферизация: Unbuffered; Формфактор памяти: 240-pin DIMM; Серия: нет;...



Добавить отзыв о Samsung 2 GB DDR3 1333 MHz (K4B2G0846С)
Имя: 
Отзыв: 
  
        9+6= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Hynix 4 GB DDR3 1600 MHz (H5TG4G83AFR)
Hynix 4 GB DDR3 1600 MHz (H5TG4G83AFR) Производитель: Hynix; Назначение: для настoльных кoмпьютерoв; Объем, ГБ: 4; Количество планок в комплекте: 1; Тип: DDR3L; Стандарт: PC3-12800; Эффективная частота, МГц: 1600; Штатные тайминги : CL15; ...
Samsung 4 GB SO-DIMM DDR3 1600 MHz (M471B5273DH0-CK0)
Samsung 4 GB SO-DIMM DDR3 1600 MHz (M471B5273DH0-CK0) Производитель: Samsung; Назначение: для ноутбуков; Объем, ГБ: 4; Количество планок в комплекте: 1; Тип: DDR3; Стандарт: PC3-12800; Эффективная частота, МГц: 1600; Штатные тайминги : CL11; Рабочее напр...


bg